Unité pédagogique

Professional Opening: Fabrication composants MOS

Derniere édition le: 09/12/2019

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Responsable:

DHALLUIN Bernard

Description générale :

Cette formation donne une approche pratique complète sur les opérations de fabrication de circuits intégrés silicium en technologie NMOS en salle blanche. C'est une approche pratique de la technologie des composants et circuits intégrés MOS à grille polysilicium auto-alignées et utilisant 4 niveaux de masquage. En partant d'une plaquette de silicium vierge, les étudiants effectuent diverses opérations de fabrication (photolithographies, gravures chimiques et sèches, oxydations thermiques, dépôts de couches minces, dopage par diffusion ou implantation, métallisation. Il est inclus des étapes de caractérisation physique (épaisseurs de couches, résistivité, profondeur de jonction) et de test électrique des structures réalisées: composants élémentaires (diodes, résistances polysilicium et aluminium, capacités MOS, transistors MOS à canal long et court) et aussi des circuits intégrés (décodeur, bascule, trigger de Schmitt, séquenceur).

Cette formation se déroule sur une semaine dans les locaux de l'Atelier Interuniversitaire de Micro-Nano-Electronique (plateforme CNFM) sur le campus de l'INSA-Toulouse.

Mots-clés:

procédés de fabrication

Nombre d’heures à l’emploi du temps:

30

Domaine(s) ou champs disciplinaires:

Langue d’enseignement:

Français

Objectifs d’apprentissage:

A la fin de l’unité pédagogique, l’élève sera capable de :	Niveau de taxonomie	Priorité
Process de fabrication	1. Connaître	Essentiel
Techniques de caractérisation de composants	1. Connaître	Essentiel
Techniques de tests fonctionnels	1. Connaître	Essentiel
Travail en milieu contraint et sécurité	3. Appliquer	Important

Modalités d’évaluation des apprentissages:

Part de l'évaluation individuelle			Part de l'évaluation collective
Examen sur table :		%	Livrable(s) de projet :		%
Examen oral individuel :		%	Exposé collectif :		%
Exposé individuel :		%	Exercice pratique collectif :		%
Exercice pratique individuel :		%	Rapport collectif :	100	%
Rapport individuel :		%
Autre(s) : %

Programme et contenus:

Type d’activité pédagogique :	Contenu, séquencement et organisation
Jour 1	Dépôt oxyde de masquage, photogravure 1 (ouverture de canal) et caractérisation (mesure d'épaisseur d'oxyde de masquage, R carré)
Jour 2	Nettoyage RCA, dépôt oxyde de gruille, dépôt polysilicium, photogravure 2 (gravure poly), caractérisation (mesure d'épaisseur de poly)
Jour 3	Dopage (diffusion ou implantation), dépôt SiO2, photogravure 3 (ouvertures des contacts), métallisation
Jour 4	Caractérisation (profondeur de jonction), photogravure 4 (gravure métal)
Jour 5	Tests fonctionnels, montage en boitier, tests électriques